一、基本情况

陈贵锋，男，博士，教授。中国电子学会电子材料学分会副秘书长、天津市真空学会副理事长。博士研究生、河北工业大学

二、博导所属（含跨转）学科

1、材料科学与工程学科

研究方向一：半导体材料与器件

研究方向二：新能源材料

三、硕导所属（含跨转）学科、专业学位类别

1、材料科学与工程学科

研陈贵锋究方向一：半导体材料与器件

研究方向二：新能源材料

2、材料与化工

研究方向一：半导体材料与器件

研究方向二：新能源材料

四、主持、参与的科研及教研项目情况（含获奖情况）

(1) 国家自然科学基金面上项目，基于铜铟硒材料的纳米量子点太阳电池的研究，项目编号：51871089，项目起止年月：2019年01月至2022年12月，项目负责人。

(2) 国家自然科学基金面上项目，用于人工光合作用的氮化镓基光电化学器件研究，项目编号：61674051，项目起止年月：2017年01月至2020年12月，项目负责人。

(3) 河北省重点研发计划项目，5G通信用半导体材料和电子陶瓷材料关键技术的研究，项目编号：20311001D，项目起止年月：2020年06月至2023年06月。

(4) 教育部“春晖计划”合作科研项目，非晶硅/多晶硅异质结太阳电池界面性能的研究，项目编号：Z2017022， 项目起止年月：2018年01月至2019年12月，项目负责人。

(5) 国家自然科学基金面上项目，电子辐照硅材料中亚稳态缺陷的形成与转化，项目编号：50872028，项目起止年月：2009年01月至2011年12月，项目负责人。

(6) 天津市科技特派员项目，IGBT用单晶硅CMP中关键材料的研究，项目编号：14JCTPJC00524，项目起止年月：2014年10月至2015年09月，项目负责人。

(7) 河北省自然科学基金面上项目，AlInN晶体质量对光电性质影响的研究，项目编号：F2013202001，项目起止年月：2013年01月至2015年12月，项目负责人。

(8) 河北省自然科学基金面上项目，单晶硅材料的电子辐照效应，项目编号：E2008000079，项目起止年月：2008年01月至2010年12月，项目负责人。

(9) 河北省科技支撑计划项目，新型高效HIT太阳电池关键技术开发，项目编号：15214305D，项目起止年月：2015年01月至2016年12月，项目负责人。

(10) 河北省科技指导计划项目，GaN氢化物气相外延设备的研制，项目编号：07215134，项目起止年月：2007年01月至2009年12月。项目负责人。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题，GaN-CIGS串行器件及其高效人工光合作用，项目编号：17ZS01，项目起止年月：2017年04月至2018年04月，项目负责人。

五、近年来发表代表性论文情况（仅限第一作者或通讯作者），主编或参编的教材、专著情况，获得专利情况等

(1)TianYu Guo, Hui Zhang, Guifeng Chen, et al., A green synthesis of CISe nanocrystal ink and preparation of quantum dot sensitized solar cell, Functional Materials Letters, 2020, 13(06).

(2)Cheng ZS, Zhang XM, Zhang H, Gao JB, Liu HY, Yu X, Dai XF, Liu GD, Chen GF, Prediction of two-dimensional CP3 as a promising electrode material with a record-high capacity for Na ions, Nanoscale Advances, 2020, 2: 5271.

(3)Cheng ZS, Zhang XM, Zhang H, Liu HY Yu X, Dai XF, Liu GD, Chen GF, Ti2P monolayer as a high performance 2-D electrode material for ion batteries, Physical Chemistry Chemical Physics, 2020, 22.

(4)Guifeng Chen, Yuan Li, Hui Zhang, et al., Improved abilitiy of artificial photosynthesis by using InGaN/AlGaN/GaN electrode, Applied Physics Express, 2019, 12: 111003.

(5)Guifeng Chen, Junhua Li, Ning Liu, Yan Zhao, Junguang Tao, Gulnur Kalimuldina, Zhumabay Bakenov, Yongguang Zhang, Synthesis of nitrogen-doped oxygen0deficient TiO2-x/reduced graphene oxide/sulfur microspheres via spray drying process for lithium-sulfur batteries, Electrochimica Acta, 2019, 326: 134968.

(6)发明专利，一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，专利号：2019106210970，发明人：陈贵锋、谢路肖、张辉、张银、解新建、刘国栋，申请日期：2019年07月10日，授权日期：2020年11月10日。

(7)发明专利，一种氮化铝单晶晶须的制备方法，专利号：2018116159213，发明人：陈贵锋、崔起源、张辉、解新建、谢路肖，申请日期：2018年12月27日，授权日期：2019年03月22日。

(8)发明专利，用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法，专利号：2017110651500，发明人：陈贵锋、马苗苗、张辉、解新建、陆书龙，申请日期：2017年11月02日，授权日期：2019年11月15日。

(9)发明专利，一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法，专利号：201710846703X，发明人：陈贵锋、张小强、陶俊光、张辉、解新建，申请日期：2017年9月19日，授权日期：2019年04月05日。

(10)发明专利，一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火，专利号：2017108278663，发明人：肖武坤、刘巍、张辉、罗文博、谢新建、张雪囡、陈贵锋，申请日期：2017年09月14日，授权日期：2020年06月16日。

(11)发明专利，一种人工蓝宝石晶体的改色方法，专利号：2016109152386，发明人：陈贵锋、罗文博、张辉、解新建、陶俊光，申请日期：2016年10月20日，授权日期：2018年09月28日。

(12)发明专利，一种Cr3Al纳米线的制备方法，专利号：201610369134X，发明人：陈贵锋、刘婉、秦爽、张辉、刘国栋，申请日期：2016年05月27日，授权日期：2018年04月20日。

(13)发明专利，一种HIT太阳能电池及其制备方法，专利号：2014101615056，发明人：陈贵锋、王弘、张辉、曹哲、张浩恩、张娇、贾少鹏、罗鸿志，申请日期：2014年04月22日，授权日期：2016年06月01日。

(14)发明专利，一种钼掺钠溅射靶材的制备方法，专利号：2014103081481，发明人：陈贵锋、张辉、曹哲、王弘、赵晓丽、王雄涛、王鹤、门小云，申请日期：2014年07月01日，授权日期：2016年04月13日。

(15)发明专利，付立叶变换光测高温仪，专利号：2016109577761，发明人：吴建海、谭成章、陈贵锋、孔祥明、由希雨，申请日期：2017年01月24日，授权日期：2019年05月03日。

(16)发明专利，一种降低铸锭多晶硅片反射率的方法，专利号：2016110978700，发明人：常雪岩、陈贵锋、张辉、代学芳、王永、王海涛，申请日期：2016年12月03日，授权日期：2018年07月24日。

(17)发明专利，一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，专利号：2016108640217，发明人：张辉、解新建、陈贵锋、常雪岩、阎文博、陶俊光，申请日期：2016年09月29日，授权日期：2018年05月01日。

六、联系人：陈贵锋，  

联系方式：13920838656，cgfchen@hebut.edu.cn