檀柏梅，女，教授，博士生导师。1999年于河北工业大学获工学博士学位，研究方向微电子技术与材料。1991至今，在河北工业大学电子信息工程学院工作。

学术成果：近年来在微电子领域承担或作为主研人参与了国家02重大专项、天津市科技支撑、河北省自然科学基金等十余项科研项目的研究，发表科技论文60余篇，其中SCI、EI收录30余篇，发表专著2部，获得天津市技术发明一等奖1项，二等奖2项，三等奖2项；获得16项国内专利授权，1项美国专利授权，获得1项天津市专利金奖及中国专利优秀奖，曾获得河北省高校第六批中青年骨干教师称号。

研究领域：随着集成电路的特征尺寸不断降低，多层铜布线中低k介质材料及新型阻挡层材料引入，对晶圆表面全局和局部平整度、洁净度的要求愈来愈苛刻，集成电路的每层布线均需通过化学机械平坦化（CMP）工艺实现全局平坦化，多层铜布线CMP后表面残留抛光液的组分如磨料颗粒、苯并三氮唑BTA等，以及CMP后生成的大量铜离子以及由去离子水、化学品等引用的微量金属杂质，会导致漏电流增加，严重影响器件的可靠性，需要在CMP后清洗工艺中对其进行有效的去除，从而得到无缺陷无沾污的晶圆表面。本课题组从事微电子技术与材料的研究，在集成电路多层布线及衬底材料的化学机械平坦化（CMP）动力学理论、材料、工艺及缺陷控制方面获得多项成果，课题组（本人任副组长）以优秀成绩完成了国家02重大专项前瞻性应用示范项目“极大规模集成电路平坦化工艺与材料”的研究，目前正在承担第二期02重大专项项目“20-14nm集成电路碱性抛光液与清洗液的研发”（第二主研）。主要研究方向：

1、多层铜布线的碱性CMP机理及速率控制技术研究。CMP是集成电路制程中的关键工艺，目前IC布线达10层以上，为达到光刻要求的纳米级精度，每层均必需在φ300mm晶圆上实现平坦化，涉及性质不同的多种材料（铜、阻挡层、low K介质）。研究碱性CMP过程中不同材料的去除机理、去除速率的控制技术及不同材料速率差异导致的dishing、erosion等缺陷的产生机理及控制；

2、多层铜布线的碱性CMP后清洗的解吸机理及清洗技术研究。随着集成电路器件特征尺寸的不断缩小，清洗过程中需要清洗的杂质尺寸也随之减小，清洗难度相应增大特别是新材料、新结构、新工艺在集成电路中的应用，对清洗提出了更高的要求，缺陷尺寸要求也更加苛刻，需要深入研究磨料粒子及抑制剂苯并三唑（BTA）在铜表面的吸附机理，研制具有强亲水性的碱性清洗剂，去除铜表面残留，并利用清洗剂的微腐蚀作用去除铜表面的损伤层，包括微划伤、纳米压痕等。

3、多层铜布线的碱性CMP及后清洗的电偶腐蚀产生机理及控制技术研究。由于铜和新型阻挡层材料钌和钴之间的性能差异，接触界面在CMP及后清洗过程中易产生电偶腐蚀，造成表面的高度差异，影响IC可靠性。研究电偶腐蚀的界面反应、界面缺陷形成机理及控制技术是多层铜布线CMP及后清洗的关键。

联系人：檀老师 13323328801        电子邮件：bmtan@hebut.edu.cn