刘彩池，女，教授，博士生导师。1999年1月毕业于浙江大学半导体材料专业，获工学博士学位；2001-2003年在河北工业大学进行博士后研究，研究方向为第三代半导体氮化镓材料，获河北省优秀博士后。2004年入选教育部新世纪优秀人才计划，河北省新世纪三三三人才，天津市三八红旗手。中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员，中国可再生能源学会光伏（电）专业委员会委员。

学术成果：一直从事半导体材料方向的科研、教学及科技开发工作，在半导体材料晶体生长及缺陷工程、太阳能光伏技术、第三代半导体材料等方面开展了广泛研究，共承担国家及省部级项目30余项。研究成果揭示了半导体材料中杂质、缺陷存在形态、分布规律及其相互作用机理，获得了控制缺陷的工艺技术；阐明了高效晶体硅太阳电池界面钝化机制。获河北省科技进步二等奖2项，专利8项，近年来发表高水平学术论文100余篇，并参与产学研基地的建设及成果转化工作。

研究领域：半导体材料，研究方向包括：

1、半导体晶体生长及缺陷控制。

2、宽带隙半导体基稀磁材料的研究。

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